国家/地区 中国（340） 美国（128） 韩国（92） 世界知识产权组织（56） 日本（33） 欧洲专利局（EPO）（27） 台湾（22） 德国（7） 巴西（2） 加拿大（2） 英国（2） 香港（2） 印度（2） 波兰（2）
IPC部 H（516） C（137） G（75）
B（65） A（4） F（4）
IPC大类 H01（516） C01（82） B82（40）
C23（38） G01（31） C09（24）
G02（19） G03（15） B01（12）
C08（11） H05（11） B32（10）
C25（9） G09（9） C30（6）
IPC小类 H01L（516）
IPC H01L029/16（105） H01L021/02（83） H01L031/18（77）
H01L031/0224（54） C01B031/04（47） H01L029/78（39）
H01L029/786（38） H01L029/66（34） H01L021/336（33）
H01L031/028（31） H01L033/00（30） B82Y030/00（28）
H01L051/52（27） H01L021/28（26） H01L023/373（25）
发明人 WANG J（17） ZHANG D（15） LI J（14）
LIU Y（14） CHEN Z（12） JIN Z（12）
WANG Y（12） YANG J（12） LI Y（11）
LIU X（11） SHI H（11） XU Y（11）
ZHANG X（11） DU C（9） LIN S（9）
公开年 2017（258） 2016（205） 2018（50）
申请年 2016（516）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（21） INST MICROEL.（14） CHINESE ACAD.（11） SHENZHEN CHI.（10）
UNIV ZHEJIAN.（10） TAIWAN SEMIC.（9） INT BUSINESS.（8） SEMICONDUCTO.（7）
SEMICONDUCTO.（7） UNIV PEKING（7） UNIV SHANGHA.（7） ZING SEMICON.（7）
LEE Y T（6） TOSHIBA KK（6） UNIV SEOUL N.（6） US SEC OF NA.（6）
FUJITSU LTD（5） TAIZHOU SUNA.（5） UNIV CHINA E.（5） UNIV HANYANG.（5）

Metal oxide semiconductor field effect transistor, has composite gate dielectric layer passivated with fluorine above graphene layer, and metal gate located above composite gate dielectric layer.

SEO H C, MOON J

Method for converting single wall carbon nanotubes into graphene sheets, involves etching latent defects in single wall carbon nanotubes with provided plasma and splitting carbon nanotubes in longitudinal direction resulting in sheets.

EGERTON E J, SOOD A K

Fabricating graphene nanoribbon array for graphene nanotransistor grid manufacture by selectively seeding growth of graphene flakes on substrate, masking flake edges with insulator, etching, removing insulator, and etching electrode.

LERNER M B

Sensor device for measuring pressure and strain, has crumpled reduced graphene oxide (rGO) that is deposited between metal contacts on substrate.

KUNDU S, RAMMOHAN S, AMIN K R, BID A, RUDRA P, RAVISHANKAR N

Composition useful in composite material and device for controlling reduction state of graphene oxide, adjusting reduction state and electrical conductivity of graphene through flash annealing, comprises specific metal nanoparticles.

LEE J O, JEONG D W, CHAE S S, LEE G H, LEE S S, JEONG S H, KIM T G

Graphene oxide whose edges are oxidized and delaminated with oxygen atoms, useful in display device.

YONG G J, CHONG R P, JI S P, CHANG E K, JEONG E B, SUNG J K

Method for fabricating graphene device, involves forming dielectric layer on graphene layer, etching dielectric layer to partially expose graphene layer, and forming ruthenium oxide layer on exposed graphene layer.

ZHOU M

Formation of metal oxide layer for electronic device, involves surface-modifying graphene, and forming metal oxide layer surface-modified graphene by atomic layer deposition.

ZONG H L, HYO K H, HOON L Z, KI H H

Reduction-type graphene oxidation film photoelectric detector, has photo-detector main body provided with reduction-oxidation graphene film and surface electrode that are connected together in symmetrical manner.

HE J, TIAN H

Method for preparing contact electrode, involves forming gate contact electrode and first contact electrode using graphene filler metal, depositing metal on back side of substrate, and forming second contact electrode.

TIAN L, SANG L, WANG J, XIA J, LI L, LI Y, LI J, JIAO Q, DU Y, YANG F